混合二极管是肖特基势垒二极管,其通过金属 - 半导体结的原理制造,该金属 - 半导体结通过金属和N型半导体的接触形成。
当金属与半导体接触时,在它们的界面处形成阻挡电子通过的肖特基势垒,即表面阻挡层。
为了使半导体中的载流子容易地穿过势垒进入金属,它必须使用具有比金属大得多的电子功函数(耗尽半导体或金属表面所需的能量)的N型半导体。
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当二极管正向偏置时,势垒下降并且大多数载流子(电子)从半导体进入金属。
与普通二极管相比,混频二极管与大多数载流子一起工作,没有少数载流子存储效应,因此具有高频,低噪声和小反向电流,主要用于混频器。
肖特基二极管以其发明者Schottky博士命名,肖特基博士是肖特基势垒二极管(缩写为SBD)的缩写。
SBD不是通过P型半导体与N型半导体接触以形成PN结的原理制造的,而是使用其中金属与半导体接触的金属 - 半导体结原理制造的。
因此,SBD也称为金属 - 半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是热载流二极管。
通过在单个锗或硅材料晶片上按压金属引脚然后执行电流方法来形成点接触型二极管。
因此,PN结具有小的静电电容并且适用于高频电路。
然而,与表面结型相比,点接触型二极管具有较差的正向特性和反向特性,因此不能用于大电流和整流。
因为结构简单,价格便宜。
它是一种广泛使用的类型,用于一般用途,例如检测,整流,调制,混合和限制小信号。