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FeRam具有非易失性和抗辐射性，低功耗，快速写入操作，比EEPROM高两个数量级，写入时间高达100亿次，比EEPROM高几个数量级。 FeRAM被认为是未来存储技术的主流。
根据预测，EEPROM，甚至DRAM和SRAM可能在未来几年每年取代数百亿美元，并将用于非接触式IC卡，移动电话，笔记本电脑，嵌入式微处理器。 ，AIR BAG等方面已被广泛使用。
该技术具有很大的市场价值。同时，它反映了材料，技术和各种物理效应的整合，其研究具有重要的科学意义。
FeRam是理想的记忆。它在计算机，航空航天，军事等领域具有广阔的应用前景。
FeRAM是目前铁电薄膜存储器的主要研发方向，世界上许多大型半导体公司都非常重视这一点。例如，在美国，Ramtron在1995年开发了一种4-6kbit的并行和串行结构FeRAM产品。
该公司与Symetrix联合成立了一个财团，计划于1998年推出16Mbit FeRAM产品并将其投放市场。从当前的市场情况来看，非易失性存储器的市场增长速度超过了DRAM和SRAM。
应用要求主要在非接触式IC卡，智能卡，移动电话，手持式计算机，便携式计算机，嵌入式微处理器等领域。非易失性存储器的最大市场增长点是嵌入式存储器。
嵌入式存储器阵列主要用于三个方面;非接触式存储卡需要低密度（≤16Kb）的非易失性存储器（NVM），这在目前市场上很小（≤100M$），但具有巨大的市场潜力。智能卡（SmartCard）需要中密度到高密度（128Kb-1Mb）的NVM，目前的市场规模是100M $，但增长非常快。
嵌入式系统使用各种尺寸的NVM（ - 2Mb）。市场估计为5亿美元-1亿美元，但在未来5年内增长速度非常快。
目前市场上较低容量（小于1 Mbit）的FeRAM旨在取代相同容量的E2PROM。为此，其引脚设计和输入输出接口使用现有的E2PROM规范，因此可以直接替换E2PROM而无需对现有系统进行任何更改。
由于FeRAM的显着优势和巨大的市场需求，国际竞争激烈。目前在铁电存储器商业化中遇到的主要挑战是缺乏与硅基CMOS工艺的低成本集成。
大规模生产的主要原因是材料和存储单元结构问题。具体表现是许多设备处于发表论文的阶段;与主流产品在技术创造方面存在差距。
目前，只有0.35μm的设备使用MLM技术。单位大小不小于25F2，F是最小线宽。
阵列的效率低，在25-30％的范围内。

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